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2020-02-19

小米 10 Pro GaN 快充背后的技术:纳微半导体 65W 氮化镓(GaN)方案

随着用户对便携性和效率的需求提高,预计 2025 年全球 GaN 快充市场规模有望达 600 多亿元。

在 2 月 13 日举办的小米 10 线上发布会上,小米推出了体积小巧、性能强大的 GaN 充电器 Type-C 65W,充满配备 4500 mAh 电池的小米 10 Pro 仅需 45 分钟。

小米 65W GaN 充电器的核心器件采用的是纳微半导体的 NV6115 和 NV6117 GaNFast 充电芯片,它们针对高频、软开关拓扑进行了优化,通过 FET、驱动器和逻辑的单片集成,创建了非常小并且非常快的易于使用的「数字输入、电源输出」高性能电源转化模块。

两款芯片均采用了氮化镓(GaN)这一新型半导体材料,其运行速度比以前的硅(Si)电源芯片快 100 倍。

同时,使用了 GaNFast 技术的小米 65W GaN 充电器,体积只有 56.3 x 30.8 x 30.8mm(53 cc),是标准适配器尺寸的一半。

另据悉,小米早前就已投资了纳微(Navitas)半导体公司,这也为这次合作埋下了伏笔。小米的投资策略是通过资金注入,确立产业链上下游合作,同时兼顾投资和业务的双重收益。而通过此次合作,纳微也得以拓宽销售渠道。

GaN 材料具备高功率、高频率、高导热等优势,所做充电芯片实现了输出大功率的同时保持充电器体积可控。目前市面上已有包括纳微(Navitas)半导体在内的多家厂商布局。

随着用户对便携性和效率的需求提高,预计 2025 年全球 GaN 快充市场规模有望达 600 多亿元,同时也将加速 GaN 芯片在 5G 基站、自动驾驶等其他新兴领域对硅(Si)电源芯片的替代。

主笔:森林木 / 深圳湾

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